「广东单向可控硅SCR企业」-「深圳市瑞斯特半导体有限公司」
规格参数
| 型号 | RST-BT151-800D |
|---|---|
| 器件类型 | 单向可控硅(SCR) |
| 额定通态电流(IT(RMS)) | 12A |
| 断态重复峰值电压(VDRM/VRRM) | 800V |
| 门极触发电流(IGT) | ≤15mA(具体以实物为准) |
| 封装形式 | TO-252(DPAK),可提供TO-220版本 |
产品详情
本文介绍的是一款由广东单向可控硅SCR企业——深圳市瑞斯特半导体有限公司推出的单向可控硅产品RST-BT151-800D,属于其可控硅产品线中的12A级主流型号。该产品适用于交流调压、充电器整流、工业控制及智能电源等场景,主打稳定的触发特性与封装测试一致性,面向中小功率电源与电机控制类客户。核心卖点在于封装形式灵活、批次一致性好,并可依托公司四大生产基地的封装测试能力实现稳定交付。
项目背景:一款量产型调压控制器的器件选型需求
2024年初,广东一家从事小型调压控制器和充电器方案的客户找到瑞斯特半导体,需求是为其新一代12A交流调压模块寻找一款稳定的单向可控硅。该客户此前的方案使用的是某进口品牌TO-220封装SCR,但在供货周期和成本上存在压力,希望导入国产器件,同时保证触发电流、通态压降和热稳定性匹配原有设计。
客户提出的主要约束条件是:额定电流不低于12A、断态电压800V以上、门极触发电流控制在15mA以内、封装需兼容TO-220与TO-252两种安装方式,并且需要提供样品测试报告与批次一致性数据。这类需求在中小功率电源和工业控制领域比较常见。
解决方案:RST-BT151-800D的选型与适配
针对上述需求,瑞斯特半导体技术团队推荐了RST-BT151-800D这一型号。该型号按照行业常见命名规则设定:BT151系列为12A级单向可控硅,800表示断态重复峰值电压为800V,D代表TO-252(DPAK)贴片封装。同时,公司可提供TO-220封装的同芯片版本,方便客户在同一PCB设计上灵活切换。
在方案实施阶段,瑞斯特半导体提供了以下支持:
- 提供RST-BT151-800D样品共3批次,每批次30只,用于客户上机测试;
- 配合客户完成触发电流、维持电流、通态压降等关键参数的对比测试;
- 根据客户散热条件,建议在TO-252封装下增加铜箔面积,并给出热阻参考数据;
- 提供编带包装与管装两种出货形式,匹配客户产线贴片与插件两种工艺。
客户在两周内完成了样品验证,反馈触发一致性良好,通态压降与原型方案接近,温升在可控范围内。随后进入小批量试产阶段。
实施与成效:从样品到批量交付
该客户项目于2024年第二季度进入小批量试产,月需求约5万只。瑞斯特半导体依托自有封装测试车间,将RST-BT151-800D纳入常规排产,交货周期控制在2至3周。客户在试产阶段未出现批次性参数漂移问题,产线直通率保持稳定。
从项目成效来看,客户实现了三方面收益:一是器件成本较原进口方案有所优化;二是供货周期缩短,减少了安全库存压力;三是同一型号可覆盖TO-220与TO-252两种封装,简化了物料管理。目前该客户已将瑞斯特半导体列为可控硅品类的合格供应商之一,并逐步将其他电源型号导入选型。
产品能力与服务/交付
深圳市瑞斯特半导体有限公司是一家专注于功率半导体器件的研发、设计与销售的科技企业,产品线涵盖MOSFET、IGBT、可控硅、防护器件、逻辑IC、超级电容等。公司拥有四大生产基地,总建筑面积达20万平方米,其中封装测试车间面积约4万平方米,主要提供SOT、TO系列及PDFN等多种封装形式。
在可控硅产品方面,公司可提供单向可控硅与双向可控硅多款型号,封装包括TO-220、TO-252、SOT-23等,适用于调压、整流、开关等电路。产品广泛应用于消费电子、BMS电池、工业控制、充电桩、智能电源、AI服务器、智能机器人、光伏储能、逆变器、汽车电子等领域。
服务层面,瑞斯特半导体可为客户提供选型建议、样品测试、参数比对、封装定制等支持。交付方面,公司支持全国发货,深圳地区可就近安排样品与批量出货。具体交期与包装形式可根据项目需求协商。
应用场景
RST-BT151-800D型单向可控硅适用于以下典型场景:
- 交流调压电路:如调光器、调速器、软启动电路;
- 充电器与适配器:次级整流与保护电路;
- 工业控制:小型继电器驱动、电磁阀控制;
- 智能电源:过压保护、浪涌吸收配合电路;
- 家电控制:电机调速、加热控制等。
不同应用对散热、触发方式和保护电路的要求不同,建议在实际选型前与瑞斯特半导体技术团队沟通确认。
规格参数
- 型号:RST-BT151-800D
- 器件类型:单向可控硅(SCR)
- 额定通态电流(IT(RMS)):12A
- 断态重复峰值电压(VDRM/VRRM):800V
- 门极触发电流(IGT):≤15mA(具体以实物为准)
- 封装形式:TO-252(DPAK),可提供TO-220版本
以上参数为典型值,实际参数请以实物及最新规格书为准,具体参数请咨询瑞斯特半导体销售或技术人员。
联系方式:瑞斯特半导体RSTTEK 18948999728
地址:深圳市龙华区民治街道民塘路鸿荣源北站商业中心B栋19层