「深圳RST60P45AK供货商」-「瑞斯特半导体RSTTEK」
规格参数
| 型号 | RST60P45AK |
|---|---|
| 器件类型 | N 沟道功率 MOSFET |
| 漏源电压 VDS | 45V |
| 连续漏极电流 ID | 60A(Tc=25℃) |
| 导通电阻 RDS(on) | 约 5.5mΩ(VGS=10V,典型值) |
| 封装形式 | TO-252(DPAK) |
产品详情
RST60P45AK 是瑞斯特半导体 RSTTEK 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-252 封装,额定电压 45V、连续漏极电流 60A,导通电阻低至 5.5mΩ 左右。该器件面向 BMS 电池管理、工业控制、智能电源、逆变器与汽车电子等中低压大电流场景,适合对导通损耗、发热控制和长期供货稳定性有要求的整机厂商与方案商。作为深圳地区的 RST60P45AK 供货商,RSTTEK 可提供稳定的现货供应与技术支持,帮助客户在性能与成本之间取得平衡。
产品定位与核心特点
RST60P45AK 属于中低压大电流 N 沟道 MOSFET,采用沟槽栅工艺设计,在 45V 耐压等级下实现了较低的导通电阻与栅极电荷,有助于降低开关损耗和传导损耗。其 TO-252(DPAK)封装为行业通用贴片形式,便于自动化生产与散热设计,适合对空间和散热有双重要求的应用。
与常规同规格方案相比,该型号在以下几个方面具备可关注的价值:
- 低导通电阻:在 10V 栅极驱动下 RDS(on) 典型值约 5.5mΩ,有助于减少大电流下的发热。
- 较高的电流能力:连续漏极电流 60A,脉冲电流能力更强,适合瞬态负载场景。
- 通用封装:TO-252 封装兼容主流贴片产线,便于替换与 Layout 调整。
- 供货稳定性:RSTTEK 具备自有封装测试能力,交期与批次一致性可控。
能解决什么问题
在中低压大电流应用中,设计人员常面临几类问题:一是导通损耗偏高导致温升明显,需要额外散热措施;二是器件批次一致性不足,影响量产良率;三是供货周期波动,影响整机交付节奏。RST60P45AK 通过较低的导通电阻和稳定的封装测试流程,可在一定程度上缓解发热与一致性问题;同时,RSTTEK 作为深圳本地供货商,具备较短的物流半径和灵活的库存调配能力,有助于客户控制备货周期。
需要说明的是,具体性能表现与散热设计、驱动电路、PCB 布局等因素相关,实际选型时建议结合工况评估,具体参数请咨询。
适用场景
RST60P45AK 适用于以下方向:
- BMS 电池管理:用于充放电回路开关与保护,承受较大电流。
- 工业控制:电机驱动、继电器替代、电源分配等。
- 智能电源与充电桩:DC-DC 转换、同步整流等环节。
- 逆变器与光伏储能:中低压功率级开关。
- 汽车电子:车载电源、辅助电路等(需按车规要求评估)。
- 无人机与智能机器人:动力电调与电源管理。
上述场景对器件的耐压、电流和热性能要求各有侧重,建议在实际应用中预留足够的电压与电流裕量。
选型与替换参考
在选型时,RST60P45AK 可作为 45V 等级、TO-252 封装、60A 左右电流能力的通用型 N 沟道 MOSFET 使用。替换时需重点关注:耐压是否满足母线电压裕量、导通电阻是否满足损耗预算、栅极电荷是否与驱动能力匹配、封装引脚是否兼容。若原方案为同等级进口器件,可在验证散热与开关特性后进行替换评估,具体参数请咨询。
供货与服务
RSTTEK 瑞斯特半导体是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的科技企业,产品覆盖 MOSFET、IGBT、可控硅、防护器件、逻辑 IC、超级电容等方向,广泛应用于消费电子、BMS 电池、工业控制、无人机、充电桩、智能电源、AI 服务器、智能机器人、光伏储能、逆变器、汽车电子等领域。公司拥有四大生产基地,总建筑面积约 20 万平方米,其中封装测试车间约 4 万平方米,主要提供 SOT、TO 系列及 PDFN 等多种封装形式,具备较完善的封装测试能力。
作为深圳地区的 RST60P45AK 供货商,RSTTEK 可提供样品测试、批量供货与选型支持。发货地为深圳,具体交期与价格根据数量与库存情况面议。
规格参数
- 型号:RST60P45AK
- 器件类型:N 沟道功率 MOSFET
- 漏源电压 VDS:45V
- 连续漏极电流 ID:60A(Tc=25℃)
- 导通电阻 RDS(on):约 5.5mΩ(VGS=10V,典型值)
- 封装形式:TO-252(DPAK)
以上参数以实物为准,具体参数请咨询。
联系方式:瑞斯特半导体RSTTEK 18948999728
地址:深圳市龙华区民治街道民塘路鸿荣源北站商业中心B栋19层